Actualul și cel mai recent și performant procesor Samsung, Exynos 2600, este prezent în Galaxy S26 și Galaxy S26+ pe majoritatea piețelor globale. Samsung Exynos 2600 este fabricat cu tehnologia de 2 nanometri (nm). Dar Samsung privește spre viitor, și are în vedere tehnologia de fabricație de 1 nm. Astfel Samsung va folosi tehnologia „Fork Sheet” pentru a include mai multe tranzistoare în aceeași zonă a cipului.
Pe lângă dezvoltarea proceselor GAA de 2nm de a doua și a treia generație, acum am aflată că Samsung lucrează la introducerea celei mai avansate litografii a sa, procesul de 1nm, supranumit nodul „semiconductor de vis”. Așa cum era de așteptat, va dura câțiva ani până când gigantul coreean va fi gata să prezinte această tehnologie.
Se spune că programul Samsung R&D pentru această tehnologie de 1 nm va fi finalizat până în 2030. Se așteaptă ca procesul de fabricație de 1 nm să fie introdus în 2031. Bineînțeles, va fi aproape imposibil să se treacă de la 2 nm la 1 nm, dar se spune că Samsung se bazează pe o metodă de tip „Fork Shett – foaie de furcă”, permițând ambalarea mai multor tranzistoare în aceeași zonă.
Tehnologia de 1 mnm tip Fork Shett avută în vedere de Samsung
Eficiența tehnologiei GAA de 2nm a Samsung este pusă sub semnul întrebării, potrivit Wccftech. Cauza: Exynos 2600 consumă 30W în putere maximă rulând Geekbench 6, cu 40% mai mult decât Snapdragon 8 Elite. Fork Shett pentru procesul Samsung de 1nm ajută la creșterea numărului de tranzistoare în aceeași zonă prin construirea unui „zid” între arhitectura porților.
Având în vedere că toate cele trei procese de 2 nm utilizează tehnologia GAA (Gate-All-Around), care maximizează eficiența energetică prin extinderea traseului curent de la trei la patru benzi, încorporarea aceleiași tehnici în nodul de 1 nm nu va fi la fel de eficientă.
Termenul „3, 2 sau 2 nanometri” nu are legătură directă cu nicio caracteristică fizică reală a tranzistorilor sau a cipurilor. Termenul este folosit ca marketing pentru a scoate în evidență o nouă generație mai performantă de cipuri.
Potrivit ziarului KoreaEconomicDaily, Samsung își propune să realizeze producția în masă a tehnologiei sale sub 2 nm prin adăugarea unui perete neconductor între dispozitivele GAA. Este ceva similar cu introducerea unei furci – Fork în spațiul disponibil, de unde și denumirea de foaie de furcă.
Similar arhitecturii locuințelor, unde peluzele înconjoară structurile adiacente, abordarea Samsung este de a elimina acele peluze și de a adăuga mai multe structuri, creând mai mulți tranzistori în aceeași zonă a cipului. Anul trecut, se zvonea că Samsung și-a anulat procesul de 1,4 nm din motive nedivulgate. Ulterior am aflat că Samsung a amânat acest nod până în 2028. Cel mai probabil Samsung nu vrea să fie distras de la tehnologia GAA de 2 nm.
Samsung a avut probleme în ultimul timp cu procesoarele emblematice
De asemenea, este posibil ca Samsung să se fi confruntat cu obstacole în producție, deoarece nu a explorat adoptarea tehnologiei Fork Sheet în acea perioadă. Dar, cu ajutorul unor cercetări suplimentare, compania ar fi putut rezolva această problemă. Cu toate acestea, doar timpul ne va spune dacă procesul său de 1 nm va avea succes. Actualul procesor Samsung Exynos 2600 încă suferă de probleme cu vârfurile de putere cu folosirea intensă. Acest lucru face ca procesorul să consume 30 wați atunci când rulează teste de performanță precum Geekbench 6. Cel puțin momentan, Samsung nu a abordat aspectul de eficiență al procesului său GAA de 2 nm.
Acest atribut negativ duce și la degradarea duratei de viață a bateriei. Din acest motiv Snapdragon 8 Elite Gen 5 din modelul Galaxy S26 durează cu 28% mai mult decât varianta Exynos 2600. Pe scurt, Samsung are câteva deficiențe la procesoarele sale emblematice pe care trebuie să le abordeze. Probabil va începe cu procesul GAA de 2nm de a doua generație, înainte de a trece la Fork Shett.