În acest an compania Samsung Electronics a bătut toate recordurile în materie de cipuri semiconductoare, atât ca producție, cât și ca vânzări. Dar, Samsung nu pare a se opri. Acum Samsung și ASML au anunțat că își vor extinde parteneriatul strategic în domeniul litografiei cu ultraviolet extrem (EUV) de înaltă densitate (High NA). Advanced Semiconductor Materials Lithography (ASML) este o companie olandeză care produce echipamente (utilaje speciale) pentru producția de microcipuri.
Samsung și ASML au declarat că vor colabora pentru a accelera dezvoltarea și implementarea tehnologiilor care să susțină cerințele tot mai mari de performanță și eficiență ale producției de semiconductori avansați. Samsung a declarat că intenționează să introducă litografia High NA EUV a ASML în cipurile DRAM până în 2028. Samsung și ASML nu se află la prima colaborare în domeniul microcipurilor.
Colaborare dintre Samsung și ASML în domeniul EUV
Semiconductorii sunt realizați prin proiectarea unor modele geometrice de circuite pe o plachetă de siliciu folosind lumina. În acest caz litografia ultraviolet extrem EUV. În litografia EUV, modelul de circuit este format pe o foto-mască, iar lumina EUV se reflectă de pe mască, potrivit TheKoreaTimes. Apoi, un sistem optic reduce imaginea și o proiectează pe plachetă.
Pe măsură ce tehnologia semiconductorilor avansează, modelele de circuite trebuie să devină din ce în ce mai fine. O modalitate de a realiza acest lucru este prin creșterea aperturii numerice (NA) a sistemului optic. Aceasta este o măsură a unghiului de lumină pe care îl poate colecta sistemul optic. Sună cam tehnic, dar aceasta este explicația.
Asemenea unui obiectiv de cameră mai mare care captează o imagine mai clară, o NA mai mare permite sistemului să colecteze lumina din unghiuri mai largi și să producă detalii mai fine în modelul proiectat. Litografia convențională poate necesita expuneri multiple pentru a crea linii extrem de fine. Dar, o diafragmă numerică (NA) ridicată poate obține același model într-o singură expunere, simplificând procesul de fabricație.
Samsung a declarat că planul de introducere demonstrează pregătirea sa pentru tehnologia High NA de a sprijini aplicații avansate de memorie și cipuri logice. Compania a menționat că se așteaptă ca High NA EUV să extindă foaia de parcurs pentru scalarea DRAM, cu o rezoluție îmbunătățită care permite simplificarea proceselor și o eficiență sporită.
Dar, există și dezavantaje în vitoare tehnologie
Un dezavantaj al tehnologiei High-NA EUV este că expune o suprafață mai mică a plachetei la un moment dat. Prin urmare, cipurile mai mari pot necesita expunere în mai multe secțiuni și apoi puse împreună pe plachetă. Acesta este adăugând un proces suplimentar numit cusătură. Pentru a aborda această limitare, Samsung se va alătura unei inițiative din industrie pentru a promova tehnologia de foto-mască de 12 inch de generație următoare. Standardul actual este de tehnologia de foto-mască de față de 6 inch.
Samsung a declarat că tipul de 12 inch utilizat cu High-NA EUV se așteaptă să îmbunătățească mai mult productivitatea fabricii. Acest lucru ar avea ca rezultat reducă costurile de fabricare a cipurilor și eliminarea constrângerile legate de cusătură. Samsung și ASML vor colabora cu partenerii din domeniu pentru a dezvolta tehnologiile necesare pentru măști și infrastructura de suport.
„Samsung vrea să-și mențină poziția de lider în producția de semiconductori avansați, inclusiv memorie și turnătorie, prin tehnologii inovatoare și parteneriate solide”. A declarat Young Hyun Jun, vicepreședinte și director al diviziei de soluții pentru dispozitive Samsung Electronics. „Prin colaborarea dintre Samsung și ASML punem bazelor pentru următoarea generație de inovații în domeniul AI și al semiconductorilor.”