Acasă Stiri Samsung a început producția în masă a DRAM cu tehnologia EUV de...

Samsung a început producția în masă a DRAM cu tehnologia EUV de 14nm

Samsung a anunțat că a început să producă în masa memoria DRAM de 14 nanometri, bazată pe tehnologia ultravioletă extremă (EUV). După livrarea de către companie a primului DRAM EUV din industrie în martie anul trecut, Samsung a mărit numărul straturilor EUV la cinci pentru a oferi cel mai bun și mai avansat proces de DRAM de astăzi pentru soluțiile sale DDR5. Bazat pe cel mai recent standard DDR5, DRAM-ul Samsung de 14nm este ideal pentru AI și 5G în continuă creștere.

Am condus piața DRAM timp de aproape trei decenii, fiind pionier în inovațiile tehnologice cheie de modelare”. A declarat Jooyoung Lee, vicepreședinte senior și șef al produselor și tehnologiei DRAM la Samsung, conform SamsungNewsroom. „Astăzi, Samsung stabilește o altă etapă tehnologică cu EUV multi-strat, care a permis miniaturizarea extremă la 14nm. Bazându-ne pe acest progres, vom continua să oferim cele mai bune soluții de memorie, abordând nevoia de performanță și capacitate mai mare în lumea bazată pe date AI și 5G”.

Samsung DRAM EUV de 14nm cu un consum mic de energie

Pe măsură ce DRAM va ajunge la procesul de 10 nm, tehnologia EUV devine din ce în ce mai importantă. Prin aplicarea a cinci straturi EUV la DRAM-ul său de 14nm, Samsung a atins cea mai mare densitate de biți. În acest fel a fost îmbunătățită și productivitatea globală a plăcilor cu aproximativ 20%. În plus, procesul de 14nm ajută la reducerea consumului de energie cu aproape 20% comparativ cu DRAM din generația anterioară.

Folosind cel mai recent standard DDR5, DRAM-ul Samsung de 14nm va ajuta la deblocarea unor viteze fără precedent. Acestea vor atinge 7,2 gigabți pe secundă (Gbps), de peste două ori viteza DDR4 de până la 3,2 Gbps. Dynamic random access memory (DRAM) este un tip de memorie cu acces direct. Aceasta stochează fiecare bit de date într-un condensator separat, într-un circuit integrat.

DDR5 DRAM – Double Data Rate 5 Synchronous Dynamic Random-Access Memory este un tip de memorie sincronă cu acces aleator dynamic. Standardul DDR5 DRAM a fost anunțat inițial in 2018 și a fost lansat la 14 iulie 2020.

Samsung intenționează să-și extindă portofoliul DDR5 de 14nm pentru a sprijini aplicațiile din centrele de date, super-computere și servere de întreprinderi. De asemenea, Samsung se așteaptă să crească densitatea cipului DRAM de 14 nm la 24GB, Astfel compania poate satisface mai bine cerințele de date în creștere rapidă ale sistemelor IT globale.

Stiri

Interbrand Best Global Brands 2021: Samsung pe locul cinci

Compania Samsung s-a clasat pe locul cinci în cele 100 cele mai bune mărci globale ale Interbrand 2021- Interbrand Best Global Brands...

Aplicația Strava două luni gratuit pentru utilizatorii seriei Galaxy Watch 4

Samsung a lansat o actualizare majoră de firmware pentru noua sa serie Galaxy Watch 4. Noua versiune aduce o mulțime de funcții...

Samsung Galaxy A03 certificat de Wi-Fi Alliance, poate fi lansat în curând

În august, Samsung a anunțat smartphone-ul Galaxy A03s, acum sunt multe informații că Samsung Galaxy A03 este aproape de lansare. Luna trecută,...

Slotul Micro-SD ar putea lipsi în continuare și din seria Galaxy S22

Samsung a surprins la începutul acestui an cu eliminarea spațiului de stocare extensibil din seria Galaxy S21. Toate cele trei modele -...

Samsung și Maison Kitsuné au lansat ediții speciale Galaxy Watch 4 și Buds 2

Logo-ul Fox și stilul jucăuș semnate de Maison Kitsuné, casa de modă franceză, prind viață pe o linie personalizată a celor mai...

Noi funcții pe seria Galaxy Watch 4: Fall Detection și nou control prin gesturi

Construită pentru următoarea eră a experienței smartwatch-urilor, seria Galaxy Watch 4 este cea mai recentă linie de smartwatch-uri Galaxy cu o suită...

Galaxy Z Fold 2: actualizarea de securitate din octombrie 2021 lansată

Patch-ul de securitate Android din octombrie 2021 ajunge la tot mai multe smartphone-uri Samsung Galaxy. Ieri gigantul tech sud-coreean a lansat noua...