Samsung DRAM HBM3E, memorie de mare capacitate pentru era AI

151
Samsung DRAM HBM3E
Sursa foto: Samsung Global Newsroom

Samsung a lansat o nouă memorie de capacitate foarte mare, memorie destinată în special pentru a răspunde nevoilor AI. Samsung DRAM HBM3E 12H atinge cea mai mare capacitate HBM din industrie cu o stivă revoluționară cu 12 straturi, crescând atât performanța, cât și capacitatea cu peste 50%. Tehnologia avansată folosită îmbunătățește densitatea verticală și proprietățile termice pe care Samsung le-a poziționat pentru a satisface cererea de soluții de înaltă performanță și de mare capacitate în era AI.

Samsung a anunțat că a dezvoltat memoria HBM3E 12H, primul DRAM HBM3E cu 12 stive din industrie. Este produsul High Bandwidth Memory (HBM) cu cea mai mare capacitate de până acum. Samsung HBM3E 12H oferă cea mai mare lățime de bandă din toate timpurile de până la 1.280 GB/s. Noua memorie are o capacitate de 36GB. În comparație cu HBM3 8H cu 8 stive, ambele aspecte s-au îmbunătățit cu peste 50%.

Furnizorii de servicii AI din industrie solicită din ce în ce mai mult HBM cu capacitate mai mare. Noua noastră memorie HBM3E 12H a fost proiectată pentru a răspunde acestei nevoi”. A declarat Yongcheol Bae, vicepreședinte executiv pentru planificarea produselor de memorie la Samsung Electronics, potrivit SamsungNewsroom.

Samsung HBM3E 12H are folie neconductivă cu compresie termică avansată – thermal compression non-conductive film (TC NCF). Astfel permite produselor cu 12 straturi să aibă aceleași specificații de înălțime ca și cele cu 8 straturi pentru a îndeplini cerințele actuale ale pachetului HBM. Samsung a continuat să reducă grosimea materialului său NCF și a obținut cel mai mic decalaj dintre cipuri din industrie la șapte micrometri, eliminând în același timp golurile dintre straturi. Pentru comparație un fir de păr uman are grosimea de ~100 µm (microni), o globulă roșie un diametru de cca. 7 µm. Aceste eforturi au ca rezultat o densitate verticală îmbunătățită cu peste 20% în comparație cu produsul său HBM3 8H.

TC NCF avansat de la Samsung îmbunătățește, de asemenea, proprietățile termice ale HBM. Astfel permite utilizarea denivelărilor de diferite dimensiuni între cipuri. În timpul procesului de lipire a cipurilor, denivelările mai mici sunt utilizate în zonele de semnalizare, iar cele mai mari sunt plasate în locuri care necesită disiparea căldurii. Această metodă ajută, de asemenea, la un randament mai mare al produsului.

Pe măsură ce aplicațiile AI cresc exponențial, se așteaptă ca Samsung HBM3E 12H să fie o soluție optimă pentru sistemele viitoare care necesită mai multă memorie. Performanța și capacitatea ridicată vor permite clienților să-și gestioneze resursele mai flexibil și să reducă costul pentru centrele de date. Când este utilizat în aplicații AI, se estimează că, în comparație cu adoptarea HBM3 8H, viteza medie pentru aplicațiile AI poate fi crescută cu 34%. În același timp, numărul de utilizatori simultani ai serviciilor de inferență poate fi extins de peste 11,5 ori.

Samsung HBM3E 12H este în teste la clienți, iar producția de masă este programată pentru prima jumătate a acestui an.