Samsung Electronics a anunțat recent că a început producția pentru prima memorie flash inclusă de 256 GB bazată pe standardul Universal Flash Storage 2.0, având drept scop integrare sa în următoarele generații de telefoane de top.
Noile memorii Samsung oferă viteze ultra-rapide și capacități de date mari într-o formă compactă. Memoria flash este bazată pe chip-urile de memorie flash Samsung V-NAND și deține un controller de mare performanță. Este capabilă să suporte până la 45.000 și 40.000 de operații de intrare/ieșire pe secundă pentru o citire respectiv scriere. Adică de două ori mai rapid decât generația anterioară de memorii UFS. UFS-ul de 256 GB utilizează 2 benzi de transfer de date pentru citirea secvențială pentru a oferi viteze de până la 850 MB/s, aproape de două ori mai rapid decât SSD-uri SATA tipice pentru PC-uri. Suportă de asemenea 260 MB/s pentru scrierea secvențială.
Aceasta va permite suportul pentru playback video 4K și fucnționalitatea multitasking pe ecrane mobile mari, de exemplu urmărirea unui film 4k pe un ecran separat în timp ce pe celelalt căutăum imagini sau video-uri. Dispozitive mobile echipat cu această memorie UFS de 256 GB vor fi lansate mai târziu în acest an.