Samsung face progrese în tehnologia MRAM de „mimări ale creierului”

117
Samsung face progrese in tehnologia MRAM de mimări ale creierului
Sursa Foto: via neowin.net

Samsung a demonstrat primul computer in-memory din lume bazat pe memorie cu acces aleator magnetorezistiv (MRAM). Până acum, MRAM a fost dificil de utilizat din cauza rezistenței scăzute, ceea ce îl face mai consumator de energie decât alte tehnologii. Lucrarea despre această inovație a fost publicată online de Nature pe 12 ianuarie și urmează să fie publicată în următoarea ediție tipărită a revistei Nature. Lucrarea este intitulată „A crossbar array of magnetoresistive memory devices for in-memory computing”.

Această lucrare arată descoperirile Samsung în tehnologia memoriei și efortul său de a îmbina memoria și semiconductorii de sistem pentru cipurile de inteligență artificială (AI) de generație următoare. Cercetătorii Samsung Electronics au oferit o soluție la această problemă printr-o inovație arhitecturală. Nu este pentru prima data când cercetătorii Samsung vor să imite creierul uman.

Samsung avansează în tehnologia MRAM

Cercetarea a fost condusă de Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT) în colaborare cu Samsung Electronics Foundry Business and Semiconductor R&D Center. Principalul autor al lucrării este Dr. Seungchul Jung, Staff Researcher la SAIT. Au mai colaborat la lucrare Dr. Donhee Ham profesor la Universitatea Harvard iar Dr. Sang Joon Kim, Vicepreședinte de Tehnologie la SAIT, a condus cercetarea.

Explicând beneficiile MRAM și cum ar putea fi util în tehnologiile de cip AI de nouă generație, dr. Seungchul Jung a spus: „Calculul în memorie se aseamănă cu creierul. În creier, calculul are loc și în rețeaua de amintiri biologice, sau sinapsele, punctele în care neuronii se ating. De fapt, calculul efectuat de rețeaua noastră MRAM pentru moment are un scop diferit de calculul efectuat de creier. O astfel de rețea de memorie în stare solidă poate fi folosită în viitor pentru a imita creierul prin modelarea conectivității sinapselor creierului”.

Creierul uman poate stoca de 5 ori mai multe informații decât Enciclopedia Britanică. Informațiile în creier se deplasează cu viteze de la 1,6 km/h, până la 431,3 km/h. O mașină de Formula 1 atinge o viteză maximă de 400 km/h.

Pentru a face această descoperire, cercetătorii Samsung au dezvoltat un cip de matrice MRAM care înlocuiește arhitectura de calcul în memorie „sumă curentă” cu o nouă arhitectură de calcul în memorie „sumă rezistență”. Echipa de cercetare a Samsung a testat performanța acestui cip MRAM în memorie, rulându-l pentru a efectua calculul AI. Cipul a obținut o precizie de 98% în clasificarea cifrelor scrise de mână și o precizie de 93% în detectarea fețelor din scene.

Samsung este interesat de creșterea rezistivității MRAM-ului datorită avantajelor sale, conform site-ului NeoWin. Este vorba despre viteza de funcționare, rezistența și ușurința de a produce hardware-ul pe scară largă.