Samsung a început producția în masă a noului cip de memorie V-NAND de generația a cincea. Noul V-NAND de 256 Gb de la Samsung are cea mai rapidă viteză de transfer a datelor din industrie, fiind primul care aplică interfața NAND „Toggle DDR 4.0”.
Samsung Electronics, liderul mondial în tehnologia avansată a memoriei, a anunțat astăzi că a început producția de cipuri de memorie V-NAND de generația a cincea, memorii cu cele mai rapide viteze de transfer de date, disponibile acum pe piața mondială. În prima utilizare a interfeței „Toggle DDR 4.0”, viteza de transmitere a datelor între spațiul de stocare și memorie, pe noul V-NAND Samsung de 256 Gb, a ajuns la 1,4 gigabiți pe secundă (Gbps), o creștere cu 40% față de predecesorul său cu 64 de straturi.
Eficiența energetică a noului V-NAND al Samsung rămâne comparabilă cu cea a cipului cu 64 de straturi, în primul rând pentru că tensiunea de lucru a fost redusă de la 1,8 volți la 1,2 volți. Noul V-NAND are de asemenea cea mai rapidă viteză de scriere a datelor de 500 de microsecunde (μs), ceea ce reprezintă o îmbunătățire de 30% față de viteza de scriere a generației anterioare, în timp ce timpul de răspuns la semnalele de citire a fost semnificativ redus la 50 μs.
Există mai mult de 90 de straturi de „celule 3D de captare a bateriei (charge trap flash – CTF)” în noua memorie V-NAND, cea mai mare cantitate din industria de memorii. Aceste straturi sunt stivuite într-o structură piramidală cu orificiile de canal microscopice perforate vertical. Găurile canalului sunt de numai câțiva nanometri și conțin peste 85 de miliarde de celule CTF care pot stoca fiecare câte trei biți de date.
V-NAND – Vertical NOT AND. Există două tipuri de memorie flash: NOR (Not Or) și NAND (Not And). Memoria NAND a fost introdusă de Toshiba în 1989. NAND are capacități de stocare mult mai mari decât NOR. Memoria V-NAND permite operații de citire și scriere de două ori mai rapide decât NAND și are o durabilitate de 10 ori mai mare, consumând cu 50% mai puțină energie.
Această tehnologie de fabricare, de memorii de ultimă generație, este rezultatul mai multor descoperiri care includ modele de circuite avansate și tehnologii noi de procesare.
Datorită îmbunătățirilor procesului de depunere a stratului atomic al V-NAND, productivitatea în fabricație a crescut cu mai mult de 30%. Tehnica de vârf permite ca înălțimea fiecărui strat celular să fie redusă cu 20%, previne intercalarea între celule și crește eficiența prelucrării datelor cip-ului.
„Produsele și soluțiile V-NAND de a cincea generație vor furniza cel mai avansat NAND pe piața de memorie premium„, a declarat Kye Hyun Kyung, vicepreședinte executiv al produselor și tehnologiei Flash de la Samsung Electronics. „În plus față de progresele de vârf pe care le anunțăm astăzi, ne pregătim să introducem ofertele de tip 1-terabit (Tb) și quad-level (QLC) în gama noastră V-NAND care va continua să stimuleze forța de generație următoare pe piața globală„.
Samsung a anunțat în premieră că oferta de 1Tb și quad-level la gama V-NAND vor fi utilizate într-o varietate de dispozitive, inclusiv, dar fără a se limita la acestea, smartphone-uri premium.