Memoria Samsung PLDDR6X este o memorie RAM de tip „Low Power” (cu consum redus de energie) de ultimă generație. Este destinată dispozitivelor mobile (smartphone-uri, tablete, laptopuri subțiri) care necesită lățime de bandă mare pentru procesarea AI (inteligență artificială) și performanțe grafice superioare.
Memoria DRAM Samsung LPDDR6X (Low Power Double Data Rate 6X) companiei ar putea fi utilizată și în sistemele de centre de date ale Qualcomm în 2027. Aceste cipuri Samsung utilizează cea mai avansată memorie DRAM și au cel mai mic consum de energie din lume și vor fi lansate anul viitor.
Se pare că Samsung și-a recăpătat competitivitatea în segmentul cipurilor de memorie. Zilele trecute, compania a anunțat că a devenit prima din lume care a început producția în masă de cipuri de memorie de mare lățime de bandă (HBM4) de a șasea generație. Acum, noi informații sugerează că firma Samsung a livrat deja mostre de cipuri de memorie LPDDR6X către Qualcomm pentru a fi utilizate în procesoarele de generație următoare.
Cipurile Samsung LPDDR6X în atenția Qualcomm
Potrivit unei informații provenite de la TheBell, citată de SamMobile, Samsung a trimis mostre de memorie LPDDR6X companiei Qualcomm. Aceste cipuri ar putea fi utilizate în procesoarele Qualcomm care vor fi lansate în partea a doua din 2027. Această mișcare este neobișnuită, deoarece Samsung nu a lansat încă comercial memoria DRAM LPDDR6 și a furnizat deja cipuri LPDDR6X care sunt încă în curs de dezvoltare.
Experții din industrie cred că memoria DRAM Samsung LPDDR6X ar putea fi utilizată în plăcile de accelerare AI250 de la Qualcomm. Acestea sunt destinate centrelor de date și în viitoarele cipuri auto. Se așteaptă ca sistemul Qualcomm AI250 să includă peste 1.000GB de memorie LPDDR6X. Din primele informații, Qualcomm ar putea acorda prioritate Samsung ca furnizor de memorie.
Qualcomm AI250 este un cip accelerator de inteligență artificială (AI). Anunțat în octombrie 2025, Qualcomm AI250 va fi lansat în 2027. Este conceput special pentru centrele de date, având ca scop eficientizarea inferenței AI la scară mare.
Memoria „Low Power”, gen LPDDR, este utilizată de obicei în laptopuri, smartphone-uri, tablete și dispozitive portabile. Cu toate acestea, Nvidia a început recent să adopte memoria LPDDR și în sistemele sale de accelerare a inteligenței artificiale.
Samsung LPDDR6 oferă o viteză de transfer de date de 14,4 Gbps și o lățime de bandă de 38,4 GB/s. Aceste cifre reprezentă îmbunătățiri de 44%, respectiv 20%, comparativ cu memoriile Samsung LPDDR5X. Se așteaptă ca memoria LPDDR6X să ofere performanțe și eficiență și mai bune decât modelul anterior. Cu toate acestea, Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC) nu a finalizat încă standardul LPDDR6X.
Samsung vrea să recupereze terenul pierdut în domeniul cipurilor de memorie
Samsung a fost cel mai mare producător de cipuri de memorie din lume timp de decenii. Cu toate acestea, probabil din cauza lipsei de previziune pe piața AI, nu a reușit să profite de cipurile de memorie cu lățime de bandă mare (HBM) în ultimii doi-trei ani. Drept urmare, a pierdut cursa HBM3E anul trecut, permițând rivalilor mai mici, precum Micron și SK Hynix, să o depășească.
După ce a pierdut mulți bani anul trecut din cauza prezentată mai sus, compania Samsung pare hotărâtă să nu repete aceeași greșeală cu tehnologiile de memorie viitoare. Compania pare să fi accelerat dezvoltarea cipurilor HBM4 pentru serverele de inteligență artificială. Același lucru s-a întâmplat cu memoria LPDDR6 și LPDDR6X pentru electronice de larg consum și centre de date.
Faptul că Samsung a trimis companiei Qualcomm mostre de memorie LPDDR6X aflate în curs de dezvoltare înainte de lansarea oficială a memoriei LPDDR6 sugerează că Samsung este nerăbdătoare să își demonstreze capacitățile de design încă de la începutul ciclului de dezvoltare.
De asemenea, posibil ca Samsung să solicite feedback de la clienții cărora le vor fi trimise. Acest răspuns va ajuta la rafinarea și optimizarea produselor care sunt încă în curs de dezvoltare. Recent am aflat că Samsung lucrează la memoria HBM de generație următoare, inclusiv HBM4E, HBM5 și HBM personalizat.