Samsung, liderul mondial în tehnologia de memorie avansată, a anunțat lansarea pe piață a „Flashbolt”, a treia generație High Bandwidth Memory 2E (HBM2E). Noul cip de memorie HBM2E de 16GB este destinat în mod special pentru a maximiza sistemele de calcul de înaltă performanță. HBM2E va ajuta producătorii de sisteme să facă un pas înainte în supercomputere, la analiza datelor bazate pe AI și în sistemele grafice de ultimă generație.
„Odată cu introducerea DRAM-ului cu cea mai performantă disponibilă astăzi HBM2E, facem un pas esențial pentru a ne îmbunătăți rolul de inovator pe piața de memorie premium AI”. A declarat Cheol Choi, vicepreședinte executiv al Memory Sales & Marketing la Samsung Electronics. „Samsung va continua să își îndeplinească angajamentul de a aduce soluții care să facă diferența pe piața memoriei globale„.
Memoria HBM Flashbolt de două ori mai mare decât generația anterioară
Noua memorie Flashbolt este de două ori mai mare decât capacitatea generației anterioare de 8GB HBM2 „Aquabolt”. High Bandwidth Memory 2E (HBM2E) crește mult performanța și eficiența energetică pentru a îmbunătăți semnificativ sistemele de calcul din următoarea generație.
Memoria Samsung HBM2E poate atinge viteze maxime de transfer de date de până la 3,2 Gbps pe pin. Până la opt cipuri DRAM de 8GB pot fi stivuite vertical pe un cip tampon pentru a atinge capacitatea de pachet de 16GB. Compania produce aceste cipuri folosind tehnologia de fabricație de 10nm. Lățimea de bandă a memoriei pe fiecare stivă este de 410 GB / s.
DRAM – Dynamic Random Access Memory este este un tip de memorie cu acces direct. Aceasta stochează fiecare bit de date într-un condensator separat, într-un circuit integrat. Primul cip DRAM disponibil comercial a fost introdus de Intel în 1970.
Flashbolt Samsung poate atinge, de asemenea, o viteză de transfer de 4,2 Gbps, rata maximă de date testată până în prezent. Va permite până la o lățime de bandă de 538GB / s pe stivă în anumite aplicații viitoare. Aceasta ar reprezenta o îmbunătățire de 1,75 ori față de cea de 307GB / s aflată pe Aquabolt.
Samsung se așteaptă să înceapă producția noului cip de memorie High Bandwidth Memory 2E în prima jumătate a acestui an. Compania va continua să ofere producătorilor și gama sa Aquabolt de a doua generație. Totuși oferta va fi extinsă cu a treia generație Flashbolt și va consolida și mai mult colaborările cu partenerii din domeniu.