Samsung Electronics a dezvăluit pe 16 decembrie o gamă extinsă de soluții de memorie auto de ultimă generație. Noile memorii au fost concepute pentru vehiculele electrice autonome de următoarea generație. Noua gamă de memorii Samsung include: SSD PCIe Gen3 NVMe Ball Grid Array de 256GB; 2GB GDDR6 DRAM și 2GB DDR4 DRAM pentru sisteme de infotainment de înaltă performanță; precum și 2GB GDDR6 DRAM și 128GB Universal Flash Storage pentru sisteme de conducere autonomă.
„Odată cu proliferarea vehiculelor electrice și progresul rapid al sistemelor de infotainment și conducere autonomă, platforma auto cu semiconductori se confruntă cu o schimbare de paradigmă. Ceea ce odinioară era un ciclu de înlocuire de șapte până la opt ani s-a schimbat. Acum este comprimat într-un ciclu de trei până la patru ani. În același timp cerințele de performanță și capacitate avansează la niveluri întâlnite în mod obișnuit în servere”. A spus Han Jin-man, vicepreședinte executiv și șef al departamentului Memory Global Sales & Marketing la Samsung, conform BusinessKorea.
Având deja finalizate evaluările clienților, noile produse de memorie auto sunt în prezent în producție de masă la Samsung.
Samsung a introdus primele soluții UFS pentru aplicații auto
Funcțiile sistemelor de infotainment, cum ar fi hărțile, streaming video și jocuri 3D, împreună cu utilizarea tot mai mare a sistemelor de conducere autonomă, au determinat cererea de SSD-uri și memorie grafică DRAM de înaltă capacitate și performanță. În 2017, Samsung a fost prima companie care a introdus soluții UFS pentru aplicații auto. Acum Samsung oferă o soluție de memorie totală cu noul SSD auto și DRAM GDDR6.
UFS – Universal Flash Storage este o specificație de stocare flash. Este folosită pentru camere digitale, telefoane mobile și dispozitive electronice de larg consum. A fost propusă printre altele de Nokia, Sony Ericsson, Samsung sau Micron.
Controlerul și firmware-ul SSD BGA de 256 GB de la Samsung oferă o viteză de citire secvențială de 2.100 MB/s și o viteză de scriere secvențială de 300 MB/s. Aceste viteze sunt de șapte și de două ori mai rapide decât cele de astăzi. În plus, 2 GB GDDR6 DRAM oferă o rată de date de până la 14 Gbps (gigabit-pe-secundă) per pin. Astfel de viteze și lățime de bandă excepționale vor sprijini procesarea complexă a diferitelor aplicații multimedia, precum și cantități mari de date de conducere autonomă, contribuind la o experiență de condus mai sigură, mai dinamică și mai convenabilă.
Noile soluții auto Samsung îndeplinesc calificarea AEC-Q100, un standard global de fiabilitate auto. Noile memorii Samsung pot funcționa stabil la temperaturi extreme cuprinse între -40°C și +105°C. Aceasta este o cerință foarte importantă pentru semiconductorii auto.
Implementarea senzorilor în vehiculele autonome pentru a monitoriza continuu împrejurimile imediate a crescut. Astfel, procesarea de mare viteză pentru a interpreta și prezice aceste date pentru o conducere mai sigură devine extrem de importantă. Prin introducerea de soluții de memorie auto promovate anterior în servere și acceleratoare AI, Samsung ajută la deschiderea drumului către o conducere autonomă mai sigură.