Samsung Electronics, liderul mondial în tehnologia de memorie avansată, a anunțat că a început producția primului dispozitiv de stocare universal Flash (eUFS) 2.1 de 1TB. Va fi utilizat pentru aplicațiile mobile de generație următoare. Doar patru ani a trecut de la lansarea primei memorii eUFS de 128 GB. Acum Samsung a trecut încă o barieră tehnologică, pragul de 1 terabyte mult așteptat, în stocarea smartphone-urilor.
Telefoanele viitorului, nu numai cele Samsung, ne vor bucura cu o capacitate de stocare comparabilă cu al unui notebook premium. Și, acest lucru fără a fi nevoiți să le dotăm cu diferite carduri de memorie suplimentare. Dar, oare avem nevoie de atât de mult spațiu de stocare. Dacă privim în urmă cu puțini ani, la ce capacitate de stocare era și mai este pe unele smartphone-uri, parcă răspunsul vine singur. Da! Avem nevoie de tot mai multă memorie pe companoinii noștri zilnici. Și, la un moment dat aceasta tot nu va fi suficientă!
Realizat pe baza V-NAND de generația a cincea, noul Flash Universal Storage oferă 20 de ori mai mult spațiu de stocare decât o memorie internă de 64 GB. Oferă și o viteză de 10 ori mai mare decât viteza unui card tipic microSD.
Aceste noi memorii eUSB de 1TB nu se vor regăsi pe Galaxy S10
Nu ne așteptăm ca aceste memorii să le găsim în Samsung Galaxy S10, nici măcar în cel cu 5G. În schimb este foarte posibil să se afle pe Galaxy Note 10. Samsung intenționează să extindă producția la uzina din Pyeongtaek din Coreea, în prima jumătate a anului 2019. Gigantul tech vrea să răspundă cererii mari pentru memoria eUFS de 1TB de la producătorii de dispozitive mobile din întreaga lume.
V-NAND – Vertical NOT AND. Există două tipuri de memorie flash: NOR (Not Or) și NAND (Not And). Memoria NAND a fost introdusă de Toshiba în 1989. NAND are capacități de stocare mult mai mari decât NOR. Memoria V-NAND permite operații de citire și scriere de două ori mai rapide decât NAND și are o durabilitate de 10 ori mai mare, consumând cu 50% mai puțină energie.
Noile memorii eUSB de 1TB au aceleași dimensiuni ca gabarit 11,5 mm x 13 mm. Memoria de 1TB își dublează capacitatea față de versiunea anterioară de 512 GB prin combinarea a 16 straturi ale celei mai avansate memorii flash Samsung V-NAND de 512 GB. Utilizatorii de smartphone-uri vor putea acum să stocheze 260 de videoclipuri de 10 minute în format 4K UHD (3840 × 2160). memoria de 64 GB eUFS utilizată în multe smartphone-uri de ultimă generație, poate stoca doar 13 videoclipuri de aceeași dimensiune.
Viteze foarte mari de scriere și citire cu eUFS de 1TB
Memoria eUFS de 1TB dispune, de asemenea, de o viteză excepțională. Permite utilizatorilor să transfere conținuturi mari multimedia într-un timp redus semnificativ. Cu până la 1.000 megaocteți pe secundă (MB / s), noul dispozitiv eUFS oferă o viteză de citire secvențială echivalentă cu a unei unități SSD tipice de 2,5 inch SATA. Acest lucru înseamnă că un film video Full HD de 5 GB de poate fi descărcat în cel mult cinci secunde. Este de 10 ori mai rapid decât viteza unui card tipic microSD. În plus, viteza de citire aleatorie a crescut cu până la 38% față de versiunea de 512 GB, ajungând până la 58.000 de IOPS (Input/output operations per second). De 500 de ori mai rapid decât o cartelă microSD de înaltă performanță.