Peste câteva zile seria Galaxy S10 compusă din Galaxy S10e, GalaxS10 și Galaxy S10+ va fi la vânzare. Statele Unite, Coreea de Sud, China, Europa și celelalte piețe globale vor face cunoștință cu noua serie Samsung.
În ceea ce privește hardware-ul intern, telefoanele vin în două variante: o variantă cu procesorul Qualcomm Snapdragon 855 pentru SUA / China / America Latină și o variantă cu procesorul Samsung Exynos 9820 pentru restul lumii.
Un lucru pe care nu l-am știut până acum era specificația capacității de de stocare a telefoanelor. Samsung a utilizat memoria internă UFS începând cu Galaxy S6. Pentru smartphone-urile lansate începând cu 2018 gigantul tech a folosit tipul de memorie UFS 2.1 NAND. Anul trecut, câteva zvonuri au susținut că seria Galaxy S10 ar avea stocare UFS 3.0, dar conform XDA-Developers, acest lucru nu a fost confirmat în final.
Doar Samsung Galaxy Fold va avea stocarea UFS 3.0
Site-ul TechInsights a „dezmembrat” procesorul Samsung Galaxy S10+ (SM-G975F). Astfel s-a descoperit că nici Galaxy S10+, nici Galaxy S10 nu au stocarea UFS 3.0. Această specificație este rezervată doar pentru pentru smartphone-ul ultra-high end Samsung Galaxy Fold, care va fi lansat în aprilie. În special, tabelul cu specificațiile oficiale al Samsung pentru Galaxy Fold specifică includerea stocării UFS 3.0. În timp ce tabelul de specificații oficiale pentru Galaxy S10 nu face nici o precizare privind felul stocării UFS.
TechInsights este o companie de servicii tehnologice specializate fondată în anul 1989. Are sediul în Canada, Ontario, la Ottawa. TechInsights oferă consultanță în domeniul proprietății intelectuale, servicii de brokeraj de brevete și analize tehnice. TechInsights are birouri Austin, SUA; Tokyo, Shanghai, Varșovia, Taipei, Seul și Tel Aviv, Israel.
TechInsights afirmă că a găsit pe telefoanele Galaxy S10 același Samsung KLUDG4U1EA-B0C1, o stocare de 128 GB, UFS 2.1 NAND. Acest model de memorie internă se găsește în Samsung Galaxy S9 și S9+, în Galaxy Note 9 precum și în mai multe alte telefoane Samsung.
Memoria internă UFS 3.0 aduce performanțe mai bune decât UFS 2.1. Noua versiune de 512 GB eUFS 3.0 (lansată în februarie 2019) a înregistrat viteze de citire secvențiale de până la 2.100 MB/s și viteze de scriere secvențiale de până la 410 MB/s (x1.58). Are viteze de citire aleatorii de 63.000 IOPS și viteze aleatorii de scriere de 68.000 IOPS. Aceste cifre sunt mai rapide decât cea mai recentă memorie internă de 1TB eUFS 2.1 NAND, lansată în ianuarie 2019.