Samsung a început producția de masă de semiconductori de 3 nm bazate pe tehnologia gate all-around (GAA) pe 30 iunie. Gigantul coreean a pus bazele pentru a ajunge din urmă TSMC, compania de semiconductori numărul 1 la nivel mondial. Structura tranzistorului GAA este superioară structurii actuale FinFET, deoarece poate reduce dimensiunile cip-urilor și consumul de energie.
În fotografia de sub titlu sunt plăci cu cip-uri semiconductoare cu autograf al președintelui sud-correan Yoon Suk-yeol (în stânga) și al președintelui Statelor Unite Joe Biden (dreapta). Acestea sunt expuse la campusul Pyeongtaek al Samsung Electronics din provincia Gyeonggi, Coreea de Sud. Președintele Joe Biden a vizitat fabrica de cipuri Samsung Pyeongtaek în mai, în prima sa călătorie în Asia.
Samsung a început producția în masă a cip-urilor de 3 nm
Samsung Electronics a început să folosească noua tehnologie de 3 nanometri mult mai devreme decât TSMC și Intel. Rivalele Samsung sunt programate să înceapă producția în masă de cipuri de 3 nm în a doua jumătate a acestui an, respectiv a doua jumătate a anului viitor.
În comparație cu cipurile de 5 nm, gigantul high-tech sud-coreean spune că noile cipuri au o performanță îmbunătățită cu 23%, o reducere cu 45% a consumului de energie și o reducere a suprafeței de 16%. Cip-urile de 3 nm de a doua generație ale companiei vor oferi o eficiență energetică mai bună cu 50%; o performanță mai bună cu 30%; și o suprafață cu 35% mai mică.
BusinessKorea este cea mai veche și mai cunoscută revistă coreeană, una dintre cele mai citite din Coreea. A fost fondată în 1983. BusinessKorea este o revistă în limba engleză cu informați despre afaceri, economice și financiare din Coreea.
Compania produce în prezent prima generație de cipuri de 3 nm. Compania Samsung intenționează să înceapă a doua generație a procesului de producție de 3 nanometri în 2023, a declarat un purtător de cuvânt al Samsung Electronics, conform Businesskorea. Samsung nu a menționat pentru ce client produce în prezent cipurile de 3 nm.
La începutul acestui an, unii observatori din industrie și-au exprimat îngrijorarea că Samsung Electronics ar putea întârzia producția în masă a semiconductorilor de 3 nm din cauza unei probleme de randament scăzut. Cu toate acestea, aceste preocupări s-au dovedit a fi nefondate. Recent Samsung a anunțat că intenționează să cheltuiască 355 miliarde USD în următorii cinci ani pentru afaceri care includ semiconductori.